Généralités
- Lucrul Individual2 MN-182 TPS VLSI (29.11) 3 Devoir
Lucrul Individual2 MN-182 TPS VLSI (29.11) 3
Aperçu des sections
Fișa Disciplinei TPS VLSI
Fișa Disciplinei TPS VLSI
EXAMEN
- EXAMEN TPS VLSI Test pentru sustinerea examenului
timpul 120 minute
baremul 0.2p/întrebare
- EXAMEN TPS VLSI Test pentru sustinerea re-examenului (reexaminare 06Feb)
timpul 120 minute
baremul 0.2p/întrebare
Lista Subiectelor pentru EXAMEN la TPS VLSI
- Încarcă aici la examen răspunsurile Devoir
Încarcă aici la examen răspunsurile - calculele problemelor, desenele, etc.
- Încarcă aici la examen răspunsurile (reexaminare 06Febr) Devoir
Încarcă aici la examen răspunsurile - calculele problemelor, desenele, etc.
TPS VLSI curs
Programul TPS VLSI
urmărește instruirea studenților în proiectarea circuitelor VLSI analogice și digitale.
Aici sunt vizate aspecte de proiectare și
de implementare cu un accent pe tehnologiile CMOS, bipolar și pe BiCMOS, layout, testare, etc.
Lecțiile 1-2
1. Introducere în proiectarea structurilor VLSI. Procesul de proiectare VLSI.
2. Ierarhia proiectării.
3. Conceptele de regularitate, modularitate și localitate.
4. Stiluri de proiectare VLSI.
TPS VLSI
Lecțiile 3
T3. Tehnologia proiectării CMOS. Fluxul procesului de fabricare CMOS.
Etapele tehnologice a proiectării CMOS. Fluxul procesului de fabricare CMOS.
T4. Tehnologia proiectării CMOS şi regulile de proiectare.
Tehnologia proiectării CMOS şi regulile de proiectare.
Lecțiile 4 - 5
T4. Tehnologia proiectării CMOS şi regulile de proiectare.
Tehnologia proiectării CMOS şi regulile de proiectare.
T5. Regulile de proiectare a straturilor în proiectul CMOS.
Regulile de proiectare a straturilor metalice în proiectul CMOS.
Lecțiile 6 - 7
T6. Tehnologii evoluate de fabricare VLSI.
Tehnologii evoluate de fabricare CMOS VLSI. Tehnologii avansate.
T7 Sistemul proiectării măştilor pe straturi.
Sistemul proiectării măştilor pe straturi. Regulile
T8 Proiectarea inversorului CMOS.
Proiectarea inversorului CMOS
T9. Porţile logice CMOS.
Porţile logice CMOS. Estimarea performanţelor structurii fizice
T10. Capacităţile MOSFET.
Realitatea cu interconexiunile în circuitele și structurile VLSI. Capacităţile MOSFET.
T11. Aritmetica pentru sistemele digitale.
Aritmetica pentru sistemele digitale. Principiul generării şi propagării. Tehnici de îmbunătăţire.
T12. Testarea sistemelor integrate. Tehnici de scanare a proiectării.
Consideraţii de sistem.
- Evaluarea 1 TPS VLSI Test
- Evaluarea 2 TPS VLSI (26.11.2020 la 09:45) Test
- Evaluarea2 Încarcă aici 26.11 Devoir
Evaluarea2 Încarcă aici 26.11
- re-Evaluarea2 Încarcă aici 4.12 Devoir
re-Evaluarea2 Încarcă aici 4.12
TPS VLSI practica
LP1. Calcularea parametrilot TEC-MOS. Calcularea capacității plan-paralelă, a tensiunii de prag, efectului de substrat. Ecuațiile Tranzistoarelor MOS. Calcularea dependenței L de tox și a efectului W.
LP2. Calculul dependenței l și L, a transconductanței. Modele de semnal mare. Modele de semnal mic. Tehnologia CMOS. Conductanța canalului și frecvența maximă. Viteza de comutare și puterea de disipare.
LP3. Calculul tranzistoarelor TEC-MOS, a Ids în diferite regime, a schimbării tensiunii de prag cu temperatura. TEC-MOS cu canal indus. Caracteristicile și parametrii.
LP4. Calcularea NM-noise margin. Forma măștilor CMOS, CMOS NOR2 și NAND2.
LP5. Calcularea măștilor CMOS, NAND3.
Lucrul Individual TPS VLSI
- 19 Noiembrie 2020 TPS VLSI MN-171 Devoir
- 25 Noiembrie 2020 TPS VLSI MN-171 (lucrul individual) Devoir