Курс: MN.TVLSIN21.1 Tehnologii VLSI și nanotehnologii

Тематический план

Общее
REGISTRU ELECTRONIC
T1. Evoluţia circuitelor integrate. Nivelul mondial de dezvoltare tehnologică. Particularităţile operaţiilor tehnologice de producere a circuitelor VLSI.
T2. Tehnologia clasică a circuitelor integrate nMOS, pMOS, CMOS, BiMOS, TEC-f-MOS.
T3. Bazele fizice a vaporizării termice în vid
T4. Epitaxia din fascicul molecular a Si și compușilor AIIIBV.
T5. Procese fizice în plasmă. Depunerea peliculelor în siste diodice, triodice. Pulverizarea reactivă. Pulverizarea cu magnetron. Corodarea uscată în plasma de argon și corodarea în plasma reactivă. Depunerea în plasmă a peliculelor dielectrice (SiO2, Si3
T6. Depunerea polisiliciului
T7. Operațiile litografice în tehnologia VLSI. Litografia cu fascicul electronic, rezoluția. Metodele de aliniere. Litografia cu raze X. Efectele de semiumbră și geometrice. Litografia cu fascicol de ioni.
T8. Implantarea ionică. Construcția instalației, principiul de funcționare. Distribuirea ionilor implantați pe adâncime.
T9. Depunerea polisiliciului. Influența diferitor factori la viteza de depunere.
T10. Metode de izolare a tranzistorilor MOS în circuite VLSI
T11. Tratamentul fotonic rapid
T12. Metalizarea multistrat în Tehnologia VLSI
T13. Perspectivele de dezvoltare a tehnologiei VLSI
Evaluare nr.1
- Bilete Файл
  Ограничено Доступно с 23 March 2026, 13:15
- Repartizarea biletelor Файл
  Ограничено Доступно с 23 March 2026, 13:15
- Încarcă răspunsul aici Задание
Lucrări de laborator
Chestionar 2022
- Chestionar Файл