Passer au contenu principal
Nom d'utilisateur
Mot de passe
Connexion
Page de connexion de Moodle
Tableau de bord
Pagini utile
Pagina facultății CIM
Orarul studiilor FCIM
Calendarul universitar
Planuri de învățămînt
Programe de licență
Programe de master
Français (fr)
English (en)
Français (fr)
Română (ro)
Русский (ru)
Rechercher des cours
Envoyer
Aperçu des sections
Généralités
Announcements
Forum
Announcements
Forum
Tofim V. Curs BTM volumul II
Fichier
Жаркой М. Ф. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОИЗВОДСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
URL
Данилина Т.И., Кагадей В.А., Анищенко Е.В., Технология кремниевой наноэлектроники, 2011
URL
Наумченко А. С. Технология микросхем с проектными нормами 90 нм и менее
URL
Младенов Г.М. Наноэлектроника. Книга 1: введение в наноэлектронные технологии
URL
ТЕХНОЛОГИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
URL
ТЕХНОЛОГИЯ СБОРКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
URL
Mикротехнология
Fichier
Быстрые термообработки в техологии сбис
URL
IC Manufacturing
Fichier
Fisa TVLSI
Fichier
Curricula TVLSI
Fichier
REGISTRU ELECTRONIC
T1. Evoluţia circuitelor integrate. Nivelul mondial de dezvoltare tehnologică. Particularităţile operaţiilor tehnologice de producere a circuitelor VLSI.
T2. Tehnologia clasică a circuitelor integrate nMOS, pMOS, CMOS, BiMOS, TEC-f-MOS.
T3. Bazele fizice a vaporizării termice în vid
T4. Epitaxia din fascicul molecular a Si și compușilor AIIIBV.
T5. Procese fizice în plasmă. Depunerea peliculelor în siste diodice, triodice. Pulverizarea reactivă. Pulverizarea cu magnetron. Corodarea uscată în plasma de argon și corodarea în plasma reactivă. Depunerea în plasmă a peliculelor dielectrice (SiO2, Si3
T6. Depunerea polisiliciului
T7. Operațiile litografice în tehnologia VLSI. Litografia cu fascicul electronic, rezoluția. Metodele de aliniere. Litografia cu raze X. Efectele de semiumbră și geometrice. Litografia cu fascicol de ioni.
T8. Implantarea ionică. Construcția instalației, principiul de funcționare. Distribuirea ionilor implantați pe adâncime.
T9. Depunerea polisiliciului. Influența diferitor factori la viteza de depunere.
T10. Metode de izolare a tranzistorilor MOS în circuite VLSI
T11. Tratamentul fotonic rapid
T12. Metalizarea multistrat în Tehnologia VLSI
T13. Perspectivele de dezvoltare a tehnologiei VLSI
Evaluare nr.1
Bilete
Fichier
Accès restreint
Disponible à partir du
23 March 2026, 13:15
Repartizarea biletelor
Fichier
Accès restreint
Disponible à partir du
23 March 2026, 13:15
Încarcă răspunsul aici
Devoir
Lucrări de laborator
Tehnologia C.I.H și V.L.S.I
Fichier
Lucrare de laborator nr.7
Fichier
Încarcă răspunsul aici pentru lucrările de laborator
Devoir
Materiale pentru lucrari de laborator si proiect de an
Dossier
Chestionar 2022
Chestionar
Fichier
Retour